> > >
Транзистор IRLR120N, Артикул 110009859
-10%
Код товара: 181854
39.00руб
под заказ: 2100 шт.
от 7 дней, кратно 50 шт
Корпус: DPAK
Описание
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
Характеристики
Тип: MOSFET
Тип проводимости: N
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th): 1.8 V
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Время задержки включения / выключения: 35/22 нс
Емкость: 440 пф
Максимальное напряжение сток-исток: 100V
Максимальный ток стока (при Ta=25C): 10A
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 185
Заряд затвора, нКл: 20
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO252-3
Упаковка: REEL, 2000 шт.
Тип проводимости: N
Напряжение: пороговое затвора (Vgs th): 1.8 V
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Время задержки включения / выключения: 35/22 нс
Емкость: 440 пф
Максимальное напряжение сток-исток: 100V
Максимальный ток стока (при Ta=25C): 10A
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 185
Заряд затвора, нКл: 20
Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Корпус: TO252-3
Упаковка: REEL, 2000 шт.
С этим товаром смотрят
1руб.
Транзистор BC856B (3B)
244руб.
Транзистор 20N60C3XKSA1
25руб.
Транзистор 2SC3117
365руб.
Транзистор IRF610PBS VISHAY
Вся информация носит справочный характер и не является публичной офертой. Технические параметры и изображения даны только для ознакомления.